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IPA80R1K4CEXKSA2
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3.9 A, 1.22 ohm, TO-220FP, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$68.830 |
| 10+ | NT$40.020 |
| 100+ | NT$30.350 |
| 500+ | NT$23.630 |
| 1000+ | NT$23.470 |
| 5000+ | NT$22.600 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPA80R1K4CEXKSA2复制
製造商標準前置時間37 週
訂購代碼2726043
其他名稱IPA80R1K4CE, SP001313390
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance1.22ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation31W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
31W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.22ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002