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IPB043N10NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 135 A, 3800 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPB043N10NF2SATMA1复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式4134226RL
條帶式包裝4134226
Product RangeStronglRFET Series
其他名稱SP005741998, IPB043N10NF2S
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$97.270 | NT$97.27 |
| 總計 價格 | NT$97.27 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$97.270 |
| 10+ | NT$62.820 |
| 100+ | NT$43.240 |
| 500+ | NT$32.360 |
| 1000+ | NT$28.210 |
| 5000+ | NT$27.460 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB043N10NF2SATMA1复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼
複捲式4134226RL
條帶式包裝4134226
Product RangeStronglRFET Series
其他名稱SP005741998, IPB043N10NF2S
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id135A
Drain Source On State Resistance3800µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.8V
Power Dissipation167W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStronglRFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
135A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
167W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
3800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StronglRFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00175