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IPB051N15NM6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 139 A, 4800 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPB051N15NM6ATMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4695818RL
條帶式包裝4695818
Product RangeOptiMOS 6 Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$136.780 | NT$136.78 |
| 總計 價格 | NT$136.78 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$136.780 |
| 10+ | NT$89.840 |
| 100+ | NT$66.880 |
| 500+ | NT$56.070 |
| 1000+ | NT$48.980 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB051N15NM6ATMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4695818RL
條帶式包裝4695818
Product RangeOptiMOS 6 Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id139A
Drain Source On State Resistance4800µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation234W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
139A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
234W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
4800µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001