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IPB072N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 100 A, 7200 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB072N15N3GATMA1复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式1775544RL
條帶式包裝1775544
其他名稱IPB072N15N3 G, SP000386664
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$184.160 | NT$184.16 |
| 總計 價格 | NT$184.16 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$184.160 |
| 10+ | NT$120.570 |
| 50+ | NT$90.090 |
| 200+ | NT$84.300 |
| 500+ | NT$78.500 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB072N15N3GATMA1复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式1775544RL
條帶式包裝1775544
其他名稱IPB072N15N3 G, SP000386664
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance7200µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The IPB072N15N3 G is an OptiMOS™ 3 N-channel Power Transistor with low resistance, excellent switching performance, increased efficiency, excellent gate charge x R DS (ON) product (FOM) and smallest board-space consumption.
- Environment-friendly
- High power density
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design
應用
Power Management, Motor Drive & Control, Communications & Networking, Audio
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
7200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001585