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IPB100N04S4H2ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 100 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB100N04S4H2ATMA1复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼
複捲式2709986RL
條帶式包裝2709986
Product RangeOptiMOS-T2
其他名稱IPB100N04S4-H2, SP000711274
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$40.400 | NT$40.40 |
| 總計 價格 | NT$40.40 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$40.400 |
| 10+ | NT$31.390 |
| 100+ | NT$29.080 |
| 500+ | NT$28.220 |
| 1000+ | NT$28.150 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB100N04S4H2ATMA1复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼
複捲式2709986RL
條帶式包裝2709986
Product RangeOptiMOS-T2
其他名稱IPB100N04S4-H2, SP000711274
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance2400µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation115W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
2400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0003