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IPB120N10S405ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 4200 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB120N10S405ATMA1复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼
複捲式3816955RL
條帶式包裝3816955
Product RangeOptiMOS-T2
其他名稱SP001102592, IPB120N10S4-05
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$144.200 | NT$144.20 |
| 總計 價格 | NT$144.20 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$144.200 |
| 10+ | NT$96.250 |
| 100+ | NT$70.590 |
| 500+ | NT$59.110 |
| 1000+ | NT$54.720 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB120N10S405ATMA1复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼
複捲式3816955RL
條帶式包裝3816955
Product RangeOptiMOS-T2
其他名稱SP001102592, IPB120N10S4-05
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation190W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
190W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
MSL
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0006