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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$74.970 | NT$74.97 |
| 總計 價格 | NT$74.97 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$74.970 |
| 10+ | NT$49.140 |
| 100+ | NT$40.350 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB180N04S4H0ATMA1复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼
複捲式2781069RL
條帶式包裝2781069
Product RangeOptiMOS T
其他名稱IPB180N04S4-H0, SP000711248
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance1100µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation250W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
- OptiMOS® T2 power transistor
- N-channel enhancement mode
- AEC qualified
- 175°C operating temperature
- Ultra-low Rds(on)
- 100% avalanche tested
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1100µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
7Pins
Product Range
OptiMOS T
MSL
MSL 1 - Unlimited
IPB180N04S4H0ATMA1 的替代選擇
找到 3 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001