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IPB19DP10NMATMA1
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 13.8 A, 0.1486 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPB19DP10NMATMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式3873719RL
條帶式包裝3873719
Product RangeOptiMOS Series
其他名稱SP005343867, IPB19DP10NM
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$76.100 | NT$76.10 |
| 總計 價格 | NT$76.10 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$76.100 |
| 10+ | NT$49.280 |
| 100+ | NT$33.690 |
| 500+ | NT$26.830 |
| 1000+ | NT$24.730 |
| 5000+ | NT$24.110 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB19DP10NMATMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式3873719RL
條帶式包裝3873719
Product RangeOptiMOS Series
其他名稱SP005343867, IPB19DP10NM
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id13.8A
Drain Source On State Resistance0.1486ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.8A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.1486ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0003