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IPB80P03P4L04ATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 3400 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPB80P03P4L04ATMA1复制
製造商標準前置時間41 週
訂購代碼2781074
Product RangeOptiMOS P2
其他名稱IPB80P03P4L-04, SP000396284
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| 10+ | NT$76.660 |
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| 500+ | NT$56.320 |
| 1000+ | NT$50.260 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB80P03P4L04ATMA1复制
製造商標準前置時間41 週
訂購代碼2781074
Product RangeOptiMOS P2
其他名稱IPB80P03P4L-04, SP000396284
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance3400µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation137W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS P2
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS P2
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001