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IPB80P04P4L06ATMA2
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 80 A, 5500 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB80P04P4L06ATMA2复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼3290157
Product RangeOptiMOS-P2
其他名稱IPB80P04P4L-06, SP002325754
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|---|---|
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPB80P04P4L06ATMA2复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼3290157
Product RangeOptiMOS-P2
其他名稱IPB80P04P4L-06, SP002325754
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance5500µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
5500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001