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IPD023N04NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 143 A, 1900 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPD023N04NF2SATMA1复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4154490RL
條帶式包裝4154490
Product RangeStrongIRFET 2 Series
其他名稱SP005632935
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$87.810 | NT$87.81 |
| 總計 價格 | NT$87.81 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$87.810 |
| 10+ | NT$56.400 |
| 100+ | NT$38.510 |
| 500+ | NT$32.430 |
| 1000+ | NT$26.110 |
| 5000+ | NT$25.590 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPD023N04NF2SATMA1复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4154490RL
條帶式包裝4154490
Product RangeStrongIRFET 2 Series
其他名稱SP005632935
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id143A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.4V
Power Dissipation150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCLead (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
143A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001