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IPD038N06NF2SATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 3850 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPD038N06NF2SATMA1复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4154493RL
條帶式包裝4154493
Product RangeStrongIRFET 2 Series
其他名稱SP005588983
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$43.660 | NT$218.30 |
| 總計 價格 | NT$218.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$43.660 |
| 50+ | NT$38.490 |
| 100+ | NT$33.320 |
| 500+ | NT$28.690 |
| 1000+ | NT$27.270 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPD038N06NF2SATMA1复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼
複捲式4154493RL
條帶式包裝4154493
Product RangeStrongIRFET 2 Series
其他名稱SP005588983
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance3850µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation107W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3850µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001