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IPD11DP10NMATMA1
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 22 A, 0.0889 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPD11DP10NMATMA1
訂購代碼3873723
Product RangeOptiMOS Series
其他名稱SP001656992, IPD11DP10NM
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技術資料表
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$67.290 |
| 10+ | NT$43.010 |
| 100+ | NT$29.090 |
| 500+ | NT$23.110 |
| 1000+ | NT$21.380 |
| 5000+ | NT$19.640 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPD11DP10NMATMA1
訂購代碼3873723
Product RangeOptiMOS Series
其他名稱SP001656992, IPD11DP10NM
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id22A
Drain Source On State Resistance0.0889ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
22A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0889ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0003