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IPD65R1K0CEAUMA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 7.2 A, 0.86 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IPD65R1K0CEAUMA1复制
訂購代碼
複捲式2781174RL
條帶式包裝2781174
Product RangeCoolMOS CE
其他名稱IPD65R1K0CE, SP001421368
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不再生產
包裝選項
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPD65R1K0CEAUMA1复制
訂購代碼
複捲式2781174RL
條帶式包裝2781174
Product RangeCoolMOS CE
其他名稱IPD65R1K0CE, SP001421368
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id7.2A
Drain Source On State Resistance0.86ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation68W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
IPD65R1K0CEAUMA1 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.2A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.86ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000426