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IPD80P03P4L07ATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 5600 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPD80P03P4L07ATMA1复制
訂購代碼
複捲式2709981RL
條帶式包裝2709981
Product RangeOptiMOS-P2
其他名稱IPD80P03P4L-07, SP000396296
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPD80P03P4L07ATMA1复制
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複捲式2709981RL
條帶式包裝2709981
Product RangeOptiMOS-P2
其他名稱IPD80P03P4L-07, SP000396296
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance5600µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
IPD80P03P4L07ATMA1 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
5600µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0003