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IPG20N04S4L11AATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0116 ohm
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPG20N04S4L11AATMA1
訂購代碼3514434
Product RangeOptiMOS T2 Series
其他名稱IPG20N04S4L-11A, SP001023836
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技術資料表
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$52.820 |
| 10+ | NT$32.310 |
| 100+ | NT$22.190 |
| 500+ | NT$18.190 |
| 1000+ | NT$15.790 |
| 5000+ | NT$13.580 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPG20N04S4L11AATMA1
訂購代碼3514434
Product RangeOptiMOS T2 Series
其他名稱IPG20N04S4L-11A, SP001023836
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0116ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel41W
Power Dissipation P Channel41W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
41W
Product Range
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0116ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
41W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00143