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IPI076N12N3GAKSA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 100 A, 0.0076 ohm, TO-262 (I2PAK), Through Hole
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| 10+ | NT$65.110 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPI076N12N3GAKSA1复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼4854013
Product RangeOptiMOS 3 Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0076ohm
Transistor Case StyleTO-262 (I2PAK)
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation188W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TO-262 (I2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
188W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
0.0076ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.015