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IPN60R1K0CEATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 6.8 A, 0.9 ohm, SOT-223, Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPN60R1K0CEATMA1
訂購代碼2617448
Product RangeCoolMOS CE
其他名稱IPN60R1K0CE, SP001434884
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPN60R1K0CEATMA1
訂購代碼2617448
Product RangeCoolMOS CE
其他名稱IPN60R1K0CE, SP001434884
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id6.8A
Drain Source On State Resistance0.9ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.8A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001