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IPN80R2K0P7ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 3 A, 1.7 ohm, SOT-223, Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPN80R2K0P7ATMA1复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式2986477RL
條帶式包裝2986477
Product RangeCoolMOS P7
其他名稱IPN80R2K0P7, SP001664996
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$41.890 | NT$41.89 |
| 總計 價格 | NT$41.89 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$41.890 |
| 10+ | NT$24.020 |
| 100+ | NT$17.360 |
| 500+ | NT$13.780 |
| 1000+ | NT$10.370 |
| 5000+ | NT$10.170 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPN80R2K0P7ATMA1复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式2986477RL
條帶式包裝2986477
Product RangeCoolMOS P7
其他名稱IPN80R2K0P7, SP001664996
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds800V
Continuous Drain Current Id3A
Drain Source On State Resistance1.7ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation6.4W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
6.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
800V
Drain Source On State Resistance
1.7ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001