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IPP65R110CFDXKSA2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 31.2 A, 0.11 ohm, TO-220, Through Hole
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|---|---|
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| 10+ | NT$136.570 |
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| 500+ | NT$104.380 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPP65R110CFDXKSA2复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼4922897
Product RangeCoolMOS CFD2 Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id31.2A
Drain Source On State Resistance0.11ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation277.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
31.2A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
277.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.11ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD2 Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001