列印頁面
IPP80P03P4L04AKSA2
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 80 A, 4400 µohm, TO-220, Through Hole
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IPP80P03P4L04AKSA2复制
訂購代碼3290154
Product RangeOptiMOS-P2
其他名稱IPP80P03P4L-04, SP002325792
您的零件号
不再生產
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPP80P03P4L04AKSA2复制
訂購代碼3290154
Product RangeOptiMOS-P2
其他名稱IPP80P03P4L-04, SP002325792
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source On State Resistance4400µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation137W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
產品總覽
- P-channel - Logic Level - Enhancement mode
- AEC qualified
- MSL1 up to 260°C peak reflow
- 175°C operating temperature
- Green package (RoHS compliant)
- 100% Avalanche tested
- Intended for reverse battery protection
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
137W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
4400µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000454