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IPW65R041CFDFKSA2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 68.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Through Hole
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製造商INFINEON
製造商產品編號IPW65R041CFDFKSA2复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼3703561
Product RangeCoolMOS CFD2
其他名稱IPW65R041CFD, SP001987360
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$438.140 |
| 5+ | NT$351.320 |
| 10+ | NT$264.500 |
| 50+ | NT$248.010 |
| 100+ | NT$231.520 |
| 250+ | NT$226.890 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPW65R041CFDFKSA2复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼3703561
Product RangeCoolMOS CFD2
其他名稱IPW65R041CFD, SP001987360
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id68.5A
Drain Source On State Resistance0.037ohm
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation500W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD2
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
68.5A
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.037ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD2
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001149