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IRF1310NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 41 A, 0.036 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$118.390 |
| 10+ | NT$65.030 |
| 100+ | NT$52.620 |
| 500+ | NT$40.600 |
| 1000+ | NT$32.670 |
| 5000+ | NT$32.020 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF1310NPBF复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼9103023
其他名稱SP001553864
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id41A
Drain Source On State Resistance0.036ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation170W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The IRF1310NPBF is a 100V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using advanced planar technology.
- 175°C Operating temperature
- Dynamic dV/dt rating
- Fully avalanche rated
應用
Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
41A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
170W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.036ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000454