列印頁面
IRF3703PBF
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 210 A, 2800 µohm, TO-220AB, Through Hole
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
1,736 有存貨
需要更多？
1,736 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
存貨供應完畢便停止銷售
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$162.970 |
| 10+ | NT$91.520 |
| 100+ | NT$70.500 |
| 500+ | NT$63.390 |
| 1000+ | NT$57.890 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$162.97
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF3703PBF复制
製造商標準前置時間12 週
訂購代碼8657580
其他名稱SP001574662
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance2800µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation230W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
IRF3703PBF 的替代選擇
找到 1 個產品
產品總覽
The IRF3703PBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers low gate impedance to reduce switching losses. It is suitable for synchronous rectification and active O-ring.
- Ultra-low ON-resistance
- Fully avalanche rating
應用
Communications & Networking, Power Management
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
230W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2800µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
相關產品
找到 3 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002