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IRF5210PBF
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 40 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$85.460 |
| 10+ | NT$57.970 |
| 100+ | NT$42.410 |
| 500+ | NT$41.410 |
| 1000+ | NT$38.100 |
| 5000+ | NT$37.340 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF5210PBF复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼1704021
其他名稱SP001559642
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation200W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The IRF5210PBF is a P-channel HEXFET® Power MOSFET. This HEXFET® power MOSFET utilizes advance processing techniques to achieve extremely low 0n-resistance per silicon area.
- Advanced Process Technology
- New Ultra Low On-Resistance
- Fast Switching
- Dynamic dv/dt Rating
- Fully Avalanche Rated
應用
Audio, Industrial
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
200W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00204