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IRF5802TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$25.340 | NT$126.70 |
| 總計 價格 | NT$126.70 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$25.340 |
| 10+ | NT$15.680 |
| 100+ | NT$10.070 |
| 500+ | NT$7.680 |
| 1000+ | NT$5.880 |
| 5000+ | NT$4.770 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF5802TRPBF复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
複捲式1298505RL
條帶式包裝1298505
其他名稱SP001561828
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id900mA
Drain Source On State Resistance1.2ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The IRF5802TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers low gate-to-drain charge to reduce switching losses. It is suitable for high frequency DC-to-DC converters, DC switches and load switch.
- Fully characterized avalanche voltage and current
- Fully characterized capacitance including effective COSS to simplify design
- Halogen-free
應用
Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
900mA
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
1.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000059