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IRF6609TR1
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 150 A, 2000 µohm, DirectFET MT, Surface Mount
无库存
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF6609TR1复制
訂購代碼9266569
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleDirectFET MT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.45V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
IRF6609TR1 的替代選擇
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
DirectFET MT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.45V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001