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IRF6614TR1PBF
Power MOSFET, N Channel, 40 V, 12.7 A, 8300 µohm, DirectFET ST, Surface Mount
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF6614TR1PBF复制
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複捲式1436912RL
條帶式包裝1436912
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id12.7A
Drain Source On State Resistance8300µohm
Transistor Case StyleDirectFET ST
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.7A
Transistor Case Style
DirectFET ST
Rds(on) Test Voltage
10V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
8300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0005