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IRF6620TR1
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 150 A, 2700 µohm, DirectFET MX, Surface Mount
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF6620TR1复制
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複捲式9266593RL
條帶式包裝9266593
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id150A
Drain Source On State Resistance2700µohm
Transistor Case StyleDirectFET MX
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.45V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150A
Transistor Case Style
DirectFET MX
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
2700µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.45V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：否
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:否
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001