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IRF6641TR1PBF
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 4.6 A, 0.0599 ohm, DirectFET MZ, Surface Mount
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF6641TR1PBF复制
訂購代碼
複捲式1388588RL
條帶式包裝1388588
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id4.6A
Drain Source On State Resistance0.0599ohm
Transistor Case StyleDirectFET MZ
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation2.8W
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.6A
Transistor Case Style
DirectFET MZ
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.0599ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000247