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IRF6665TR1PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 4.2 A, 0.062 ohm, DirectFET SH, Surface Mount
无库存
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF6665TR1PBF复制
訂購代碼1436932
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id4.2A
Drain Source On State Resistance0.062ohm
Transistor Case StyleDirectFET SH
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2.2mW
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
4.2A
Transistor Case Style
DirectFET SH
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.2mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0005