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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$65.560 | NT$65.56 |
| 總計 價格 | NT$65.56 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$65.560 |
| 10+ | NT$31.320 |
| 100+ | NT$27.970 |
| 500+ | NT$22.080 |
| 1000+ | NT$21.640 |
| 5000+ | NT$21.200 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF7862TRPBF复制
製造商標準前置時間19 週
訂購代碼
複捲式2777398RL
條帶式包裝2777398
Product RangeHEXFET
其他名稱SP001577668
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id21A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The IRF7862TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for battery protection, high side and low side load switch, notebook processor power and isolated DC-to-DC converters.
- Ultra-low gate impedance
- Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
- 100% Rg tested
- 20V VGS Maximum gate rating
應用
Power Management, Computers & Computer Peripherals
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
8Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
IRF7862TRPBF 的替代選擇
找到 7 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000074