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IRFB3206PBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Through Hole
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| 10+ | NT$69.200 |
| 100+ | NT$47.860 |
| 500+ | NT$39.460 |
| 1000+ | NT$34.290 |
| 5000+ | NT$33.610 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRFB3206PBF复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼1436949
其他名稱SP001566480
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance3000µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The IRFB3206PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Halogen-free
應用
Power Management, Motor Drive & Control
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
3000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004385