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IRFB4410PBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 96 A, 0.01 ohm, TO-220, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$93.770 |
| 10+ | NT$46.250 |
| 100+ | NT$41.720 |
| 500+ | NT$33.630 |
| 1000+ | NT$29.890 |
| 5000+ | NT$29.850 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$93.77
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRFB4410PBF复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼9052046
其他名稱SP001556060
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id96A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation250W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
IRFB4410PBF 的替代選擇
找到 2 個產品
產品總覽
The IRFB4410PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness. It is suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, hard switched and high frequency circuits.
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and di/dt capability
- Fast switching
應用
Power Management, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
96A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
250W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Philippines
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00195