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IRFR1018EPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 56 A, 8400 µohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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不再生產
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRFR1018EPBF复制
訂購代碼1602229
其他名稱SP001567496
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id56A
Drain Source On State Resistance8400µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
產品總覽
The IRFR1018EPBF is a N-channel HEXFET® Power MOSFET with high speed power switching and high frequency circuits.
- Dynamic dv/dt rating
- Fully avalanche rated
應用
Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
56A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000631