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IRFR1018ETRPBF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 79 A, 8400 µohm, TO-252AA, Surface Mount
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| 250+ | NT$19.520 |
| 1000+ | NT$18.420 |
| 3000+ | NT$17.320 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRFR1018ETRPBF
訂購代碼2725948
Product RangeHEXFET
其他名稱SP001566962
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id79A
Drain Source On State Resistance8400µohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation110W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
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警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
79A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
110W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
8400µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004