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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRFR13N15DPBF复制
訂購代碼2576885
Product RangeHEXFET
其他名稱SP001556864
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id14A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation86W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
IRFR13N15DPBF 的替代選擇
找到 1 個產品
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
14A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
86W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
150V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000647