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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$32.690 | NT$163.45 |
| 總計 價格 | NT$163.45 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$32.690 |
| 50+ | NT$27.200 |
| 100+ | NT$21.700 |
| 500+ | NT$15.430 |
| 1500+ | NT$15.130 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRFR9024NTRLPBF复制
製造商標準前置時間33 週
訂購代碼
複捲式2725975RL
條帶式包裝2725975
Product RangeHEXFET
其他名稱SP001557198
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source On State Resistance0.175ohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
Single P-channel HEXFET® power MOSFET.
- Ultra low on-resistance
- Advanced process technology
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Low RDS(on)
- Planar cell structure for wide SOA
- Product qualification according to JEDEC standard
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
11A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source On State Resistance
0.175ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
IRFR9024NTRLPBF 的替代選擇
找到 2 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0004