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IRG4BH20K-SPBF
IGBT, 11 A, 3.17 V, 60 W, 1.2 kV, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
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不再生產
產品訊息
產品總覽
The IRG4BH20K-SPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor combines low conduction losses with high switching speed. It feature latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations. As a freewheeling diode recommend our HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft recovery diodes for minimum EMI/noise and switching losses in the diode and IGBT.
- High short-circuit rating
- Latest generation 4 IGBT's offer highest power density motor controls possible
應用
Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Power Management
技術規格
Continuous Collector Current
11A
Power Dissipation
60W
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Collector Emitter Saturation Voltage
3.17V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
IRG4
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00143