列印頁面
IRL6372TRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IRL6372TRPBF复制
訂購代碼
複捲式2726002RL
條帶式包裝2726002
Product RangeHEXFET Series
其他名稱SP001569038
您的零件号
不再生產
包裝選項
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRL6372TRPBF复制
訂購代碼
複捲式2726002RL
條帶式包裝2726002
Product RangeHEXFET Series
其他名稱SP001569038
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.1A
Continuous Drain Current Id P Channel8.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.014ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.014ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.014ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.014ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001814