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IRL80HS120
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 12.5 A, 0.025 ohm, DFN2020, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IRL80HS120复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼
複捲式2986496RL
條帶式包裝2986496
其他名稱IRL80HS120, SP001592838
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$69.910 | NT$69.91 |
| 總計 價格 | NT$69.91 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$69.910 |
| 10+ | NT$43.240 |
| 100+ | NT$28.380 |
| 500+ | NT$22.300 |
| 1000+ | NT$14.940 |
| 5000+ | NT$14.800 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRL80HS120复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼
複捲式2986496RL
條帶式包裝2986496
其他名稱IRL80HS120, SP001592838
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id12.5A
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleDFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation11.5W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.5A
Transistor Case Style
DFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
11.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000151