列印頁面
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。

2,465 有存貨
4,000 即日起您可預購補貨
2,465 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$49.740 | NT$248.70 |
| 總計 價格 | NT$248.70 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$49.740 |
| 50+ | NT$41.630 |
| 100+ | NT$33.520 |
| 500+ | NT$26.570 |
| 1000+ | NT$24.320 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRLR7843TRPBF复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式2468059RL
條帶式包裝2468059
其他名稱SP001569090
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id161A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleTO-252AA
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.3V
Power Dissipation140W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The IRLR7843TRPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET offers ultra-low gate impedance, fully characterized avalanche voltage and current. It is suitable for high frequency synchronous buck converters and high frequency isolated DC-to-DC converter with synchronous rectification.
- Very low static drain-to-source ON-resistance at 4.5V gate-to-source voltage
- Logic level
應用
Power Management, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Industrial
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
161A
Transistor Case Style
TO-252AA
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
140W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
技術文件 (1)
IRLR7843TRPBF 的替代選擇
找到 1 個產品
相關產品
找到 3 個產品
法規與環境保護
原產地:
承擔產品生產最後程序之國家原產地:China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地:China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定:是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤):.000413
