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ISC032N12LM6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 170 A, 3200 µohm, TDSON-FL, Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號ISC032N12LM6ATMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4378755RL
條帶式包裝4378755
Product RangeOptiMOS 6 Series
其他名稱ISC032N12LM6, SP005548365
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$183.770 | NT$183.77 |
| 總計 價格 | NT$183.77 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$183.770 |
| 10+ | NT$95.140 |
| 100+ | NT$86.460 |
| 500+ | NT$81.760 |
| 1000+ | NT$77.420 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號ISC032N12LM6ATMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4378755RL
條帶式包裝4378755
Product RangeOptiMOS 6 Series
其他名稱ISC032N12LM6, SP005548365
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id170A
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StyleTDSON-FL
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation211W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 6 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
170A
Transistor Case Style
TDSON-FL
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
211W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
3200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 6 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000074