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IRF6607TR1
MOSFET, N, DIRECTFET, MT
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製造商INFINEON
製造商產品編號IRF6607TR1复制
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複捲式9266542RL
條帶式包裝9266542
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleDirectFET MT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation3.6W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
95A
Transistor Case Style
DirectFET MT
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001