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IRF6662TR1PBF
MOSFET, N, DIRECTFET, MZ
无库存
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IRF6662TR1PBF
訂購代碼1388570
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id8.3A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleDirectFET MZ
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation2.8mW
No. of Pins5Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.3A
Transistor Case Style
DirectFET MZ
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2.8mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
5Pins
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Mexico
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001