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IXFA7N100P
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 7 A, 1.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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| 1+ | NT$310.900 |
| 5+ | NT$264.890 |
| 10+ | NT$218.880 |
| 50+ | NT$186.840 |
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產品訊息
製造商產品編號IXFA7N100P复制
製造商標準前置時間29 週
訂購代碼3438371
Product RangePolar HiPerFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source On State Resistance1.9ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004