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IXFH10N100P
Power MOSFET, N Channel, 1 kV, 10 A, 1.4 ohm, TO-247AD, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
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| 5+ | NT$236.790 |
| 10+ | NT$175.290 |
| 50+ | NT$170.200 |
| 100+ | NT$165.100 |
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產品訊息
製造商產品編號IXFH10N100P
訂購代碼3438374
Product RangePolar HiPerFET
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds1kV
Continuous Drain Current Id10A
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleTO-247AD
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max6.5V
Power Dissipation380W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangePolar HiPerFET
Qualification-
SVHCLead (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
10A
Transistor Case Style
TO-247AD
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
380W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
1kV
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
6.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
Polar HiPerFET
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004