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IXFN80N50
MOSFET Transistor, HiPerFET, N Channel, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
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產品訊息
製造商產品編號IXFN80N50
訂購代碼7348029
Product RangeHiPerFET Series
技術資料表
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id80A
Drain Source Voltage Vds500V
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation780W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
產品總覽
The IXFN80N50 is a N-channel enhancement mode Power MOSFET features miniBLOC, with aluminium nitride isolation, low RDS (on) HDMOSTM process, rugged polysilicon gate cell structure and unclamped inductive switching (UIS) rated.
- Fast intrinsic rectifier
- High dv/dt rating
- Rugged polysilicon gate cell structure
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
應用
Power Management, Lighting, Motor Drive & Control
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
500V
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
780W
Product Range
HiPerFET Series
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.234507