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IXFX20N120
Power MOSFET, HiPerFET, N Channel, 1.2 kV, 20 A, 0.75 ohm, PLUS247, Through Hole
不再生產
產品訊息
製造商產品編號IXFX20N120复制
訂購代碼7348037
技術資料表
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.75ohm
Transistor Case StylePLUS247
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation780W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source On State Resistance
0.75ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
20A
Transistor Case Style
PLUS247
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
780W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.006