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IXTQ120N20P
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 120 A, 0.022 ohm, TO-3P, Through Hole
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$549.680 |
| 5+ | NT$431.180 |
| 10+ | NT$312.680 |
| 50+ | NT$310.880 |
| 100+ | NT$309.070 |
| 250+ | NT$307.260 |
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產品訊息
製造商產品編號IXTQ120N20P复制
製造商標準前置時間23 週
訂購代碼3438428
Product RangePolarHT
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance0.022ohm
Transistor Case StyleTO-3P
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max5V
Power Dissipation714W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangePolarHT
Qualification-
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-3P
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
714W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
200V
Drain Source On State Resistance
0.022ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
PolarHT
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：South Korea
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004